ASUS Bundle - Assassin's Creed

SAMSUNG 850 EVO SSD 1000GB 2.5'' SATA 3

Prezzo:
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Garanzia e assistenza (info):
5 Anni
SKU:
MZ-75E1T0B/EU
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Descrizione Prodotto Richiedi Informazioni Recensione
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale.

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).

Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND
 L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia
Specifiche Estese
Codice Prodotto
MZ-75E1T0B/EU
Tecnologia Samsung 3D V-NAND a 32 strati
Fattore di Forma
2.5''
Interfaccia SATA 3
Capacità 1 TB
Controller Samsung MEX
Prestazioni Sequential Read Speed: 540MB/s (max)
Sequential Write Speed: 520MB/s (max)
4KB Random Read: 98K IOPS (max)
4KB Random Write: 90K IOPS (max)
MTBF 1.5 milioni di ore
Shock
1500 G
Consumo Medio: 4W
Massimo: 4.4W
Altre Caratteristiche
Crittografia AES a 256 bit (Classe 0), TCG / Opal, IEEE1667 (unità crittografata)
TRIM supportato
S.M.A.R.T supportato
1 GB DDR2 SDRAM
Dimensioni 100x69.85x6.8 mm (LxAxP)
Peso
66 g


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